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　　ZK-3C三相可控硅調(diào)壓觸發(fā)器采用移相觸發(fā)控制方式，輸出電壓、電流或功率連續(xù)可調(diào)，具有恒電壓、恒電流或恒功率的特性。三相晶閘管閉環(huán)技術(shù)觸發(fā)板的控制原理為一個(gè)典型的雙閉環(huán)控制，電流環(huán)為內(nèi)環(huán)，電壓環(huán)為外環(huán)。

 

　　ZK-3C三相可控硅調(diào)壓觸發(fā)器可控硅的觸發(fā)主要取決于溫度、供電電壓、柵極電流等不同的變量。當(dāng)向可控硅施加電壓時(shí)，如果陽(yáng)極可以與陰極相關(guān)＋ve，則可控硅變成轉(zhuǎn)發(fā)偏向。因此該晶閘管進(jìn)入正向阻斷狀態(tài)。

 

　　在可控硅觸發(fā)中，包括柵極驅(qū)動(dòng)要求（如果使用柵極觸發(fā)）、觸發(fā)時(shí)間（需要保持所施加的觸發(fā)激勵(lì)時(shí)間以使電路鎖存）等各個(gè)方面都很重要，各種參數(shù)的重要性取決于所使用的可控硅觸發(fā)形式。

 

　　對(duì)于要使用的柵極可控硅觸發(fā)，可控硅要在其擊穿電壓以下運(yùn)行，并且還允許適當(dāng)?shù)陌踩６纫赃m應(yīng)可能發(fā)生的任何瞬變，否則可能會(huì)發(fā)生正向電壓或擊穿觸發(fā)。

 

　　開啟可控硅，柵極和陰極之間的正柵極電壓，會(huì)產(chǎn)生柵極電流，其中電荷被注入器件的內(nèi)部p層，這有效地降低了發(fā)生正向擊穿的電壓?？梢钥闯?，柵極電流決定了可控硅切換到其導(dǎo)通狀態(tài)的正向電壓。柵極電流越高，正向擊穿電壓越低。

 

　　低電流高靈敏度可控硅在非常低的電流水平下觸發(fā)，因此需要外部柵極－陰極電阻來(lái)防止柵極區(qū)域中熱產(chǎn)生的泄漏電流觸發(fā)。然而，柵極陰極電阻繞過(guò)了由陽(yáng)極電壓（dv/dt）的快速變化率引起的一些內(nèi)部陽(yáng)極電流。